小米澎湃S2晶片曝光 16nm工藝年底商用

【IT168 資訊】兩周之前，小米發佈了旗下首款自研SoC——澎湃S1，這顆處理器採用28nm HPC+工藝，8*A53核心設計，主攻中高端市場，並在小米5c上成功首發。顯然，小米對於自研晶片有著一定規劃，目前已經在著手更高階的SoC設計。據內部人士爆料，澎湃S2的樣片已經完成，將採用台積電的16nm FinFET工藝打造，預計年底商用。

其實，早在澎湃S1發佈之前，就有消息稱小米還有一款更高階的澎湃S2處於研發階段，將採用最新的10nm的工藝製造，性能比肩友商的旗艦處理器。目前，業內人士終於也確認，小米已經聯合台積電完成了澎湃S2的流片，澎湃S2仍是8核心設計，支持5模，利用台積電16nm FinFET工藝製造，順利的話預計將于第3季量產，第4季就有相應的產品發佈。

值得注意的是，澎湃S2並沒有採用此前傳言的10nm工藝，一方面是因為小米初涉晶片產業，還是以穩定成熟為主，另一方面也因為目前10nm工藝的良率、產能均有限，成本不易控制。而台積電的16nm FinFET工藝已經相當成熟，麒麟960和A10 Fusion均選擇了該工藝，有著不錯的表現，因此澎湃S2採用16nm而不是10nm也是一個聰明的決策。

關於澎湃S2的首發機型，有可能是小米6c，考慮到當時的旗艦處理器已經普遍維持在10nm制程，因此澎湃S2運用在小米旗艦產品的可能性並不大。

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