高通驍龍835規格全曝光 10納米8核心

雖然高通驍龍835的原定發佈日期是1月6日CES 2017開幕前夕，但外媒Videocardz已經提前拿到了高通的相關PPT。該PPT顯示，驍龍835採用了高通自主Kyro 280架構，性能比驍龍821提升27%，功耗比驍龍801相降低50%。

驍龍835採用10nm工藝製造，CPU從目前的Kyro 200升級到Kyro 280，配備4大4小核心，大核頻率2.45GHz，2MB L2緩存，小核頻率4x1.9GHz，1MB L2緩存。GPU則從Adreno 530升級到Adreno 540，ISP升級到Spectra 180，DSP也會從Hexagon 680升級到Hexagon 690，基帶從X12 LTE升級到X16 LTE。

與上一代旗艦處理器相比，驍龍835的性能提升了27%。與驍龍801相比，功耗降低了50%。需要注意的是，降低50%功耗的比較物件並非驍龍821/820，而是驍龍801。

其他方面，驍龍835基帶升級帶X16 LTE，支持4x20載波，上下行分別支持Cat13、Cat16，速度最高可達1Gbps，是首款商業級千兆LTE數據機。此外，驍龍835的GPU還將支持DX12、Vulkan、OpenGL ES等規範，DPU將支援10bit 4K顯示、VPU將支援4K HEVC 10bit解碼等等。同時驍龍835還是首顆支援Win10桌面系統的ARM處理器，相關產品將在今年發佈。