10nm工藝全新升級 高通835晶片全面曝光

【IT168 資訊】高通即將於幾日後舉行的 CES 2017 上發佈新一代旗艦晶片驍龍(Snapdragon) 835，目前國外媒體 vediocards 則搶先公佈了該晶片的詳細資訊。根據此前的資訊表明，這款晶片將由三星代工，基於 10nm FinFET 制程，跟現有的驍龍821(基於三星 14nm 工藝製造)相比，其性能部分要強出 27%，同時也降低了高達 40% 的功耗，帶來顯著的全方面提升，預計搭載該晶片的產品將於第一季度陸續上市。

本次外媒洩露的圖片則進一步顯示了高通驍龍835的具體參數，包括採用自主 4+4 結構的 Kryo 280 八核心設計(基於ARMv8架構)，包括四顆主頻為 2.45GHz 的高頻核心，以及四顆主頻為 1.9GHz 的低頻核心，集成的 GPU 部分則是是 Adreno 540 晶片，支援 DX12、OpenGL ES 和 Vulkan 應用，此外還包括 60fps 的4K螢幕顯示，Q-Sync技術和更廣的色域顯示特性等，並支援 4K HEVC 視頻解碼，據悉其性能相比于高通821所使用的 Adreno 530 提升了 30% 之多。

高通驍龍835晶片的其他部分還包括使用 LPDDR4 四通道記憶體和 UFS 2.1 高速快閃記憶體，在原有雙攝的基礎上新增了4倍平滑縮放，並且擁有更快的對焦速度，色彩捕捉也更加真實等。不過最要的部分還是整合了 Cat.16 基帶，支援最新的 Quick Charge 4.0 快速充電技術。

關於高於最新的 Quick Charge 4.0 快充技術的具體細節雖然並未公佈，但根據之前的資訊顯示它能帶來比上代產品快 20% 的充電速度，充電 5 分鐘可帶來最高 5 小時的續航時長，連充 15 分鐘後，基本能給採用 驍龍835 處理器的手機充入幾乎一半的電量，並符合 Google 為 USB Type-C 提出的最新參考指南，相容 Type-C 充電頭的互用。

至於終端產品方面，目前已經確定三星S8將使用該晶片，有資訊表面其最快將於4月份上市，此外國產品牌小米、樂視、努比亞等也將先後推出高通驍龍835的產品，預計在上半年將陸續迎來旗艦的更新換代潮。

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