中芯國際投產新品：比RAM記憶體快千倍！

近日有消息稱，中芯國際與Crossbar合作研發的ReRAM已經在中芯國際正式投入生產，ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集於一身的新一代存儲技術，關閉電源後仍能保存資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的電腦將幾乎不再需要載入時間。

ReRAM的名字中雖然帶有RAM，但機制和用途其實更像NAND快閃記憶體，主要用作資料存儲。ReRAM的性能十分彪悍，號稱存儲密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。

與傳統的NAND快閃記憶體相比，ReRAM速度快的多，位元元可修改，並且所需電壓更低，這都使得它可以被應用於嵌入式和SSD設備之中。