比記憶體快千倍！中芯國際投產ReRAM

Intel Optane(閃騰)存儲產品終於開始出貨了，而中芯國際與Crossbar合作研發的ReRAM(非易失性阻變式記憶體)也傳來好消息，已經在中芯國際正式投入生產！

Crossbar公司成立於2010年，拿到了包括中國北極光創投在內提供的8000萬美元風投，2016年3月宣佈與中芯國際達成合作，發力中國市場，中芯國際將採用自家的40nm CMOS工藝試產ReRAM晶片。

ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集於一身的新一代存儲技術，關閉電源後仍能保存資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的電腦將幾乎不再需要載入時間。

ReRAM的名字中雖然帶有RAM，但機制和用途其實更像NAND快閃記憶體，主要用作資料存儲。

ReRAM的性能十分彪悍，號稱存儲密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。

與傳統的NAND快閃記憶體相比，ReRAM速度快的多，位元元可修改，並且所需電壓更低，這都使得它可以被應用於嵌入式和SSD設備之中。

而且不同於NAND快閃記憶體對於更新工藝的不適應，ReRAM的擴展性更好，遠景可以做到5nm。

另外，更先進的28nm ReRAM晶片也將在2017年上半年問世。

Crossbar ReRAM I/V曲線(1T1R和1TnR)

ReRAM應用前景