西數開始生產64層堆疊的3D NAND快閃記憶體晶片

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】日前，西部資料宣佈其已開始生產業內最密集的3D NAND快閃記憶體晶片，堆疊達到了64層。每單元存數比特位元數也從2增加到了3（就是從MLC變成了TLC）。西數及其合作夥伴東芝將其“垂直3D堆疊技術”稱作Bit Cost Scaling（簡稱 BiCS）。

其生產過程類似摩天樓的建造過程，一層一層地堆疊至64層，在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，使得每Gb的成本效益更加明顯。此外，這項技術還增加了資料可靠性、以及固態存儲是速度。

三星是首家宣佈量產3D 快閃記憶體晶片的企業（2014 年），其技術被命名為 V-NAND，起初只堆疊了32層，但也將存儲位元元從MLC改進到了TLC。所以其TLC產品的容量（128 Gbits / 16 GB）比東芝初代48 層NAND晶片還要高）。

西數於 2016 年 7 月首次向公眾展示了其 64 層 3D NAND 技術，新晶片已於日本四日市製造工廠開始試產，該公司計畫在 2017 年 下半年開始量產。

3D NAND快閃記憶體是一種新興的快閃記憶體類型，通過把記憶體顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制，是大勢所趨。