SK Hynix首發72層堆疊3D快閃記憶體：核心容量256Gb，TLC類型

得益於存儲晶片近一年的持續漲價，2017年各大NAND快閃記憶體廠商的營收、盈利情況都會很很不錯，也更有動力去推3D NAND快閃記憶體以滿足市場需求了。繼東芝、西數宣佈推出64層堆疊的3D NAND快閃記憶體之後，韓國SK Hynix公司日前宣佈了全球堆疊層數最多的72層3D NAND，不過SK Hynix的3D NAND快閃記憶體雖然堆的層數夠多，但目前的核心容量才256Gb（單顆容量32GB），而且還是TLC類型的，並沒有比現有產品好多少。

SK Hynix首發全球首個72層堆疊的3D NAND快閃記憶體

從2D NAND平面快閃記憶體到3D NAND快閃記憶體的升級中，三星、東芝/西數、SK Hynix及IMFT（美光/Intel）的3D NAND技術路線各不相同，堆疊層數也不一樣，比如三星V-NAND快閃記憶體首發是24層堆疊，量產型是32層堆疊，今年內也會有64層堆疊的，東芝/西數的BiCS快閃記憶體首發就是48層堆疊，不過下一代也是64層堆疊，前不久

西數、東芝分別宣佈了64層堆疊的512Gb快閃記憶體

。

Intel和美光的3D NAND快閃記憶體來的最晚，首發也是32層堆疊，年內也會升級到64層，不過這兩家在3D NAND快閃記憶體上還握有3D XPoint這個王牌，Intel、美光遲早都會把重心轉向這個次世代3D NAND快閃記憶體上去的。

SK Hynix去年4月份才發佈了36層堆疊的128Gb 3D快閃記憶體，去年11月份又量產了48層堆疊的256Gb快閃記憶體，5個月後的今天又宣佈了72層堆疊的3D NAND快閃記憶體，進度還是蠻快的，也有助於SK Hynix在3D NAND快閃記憶體上追趕三星、東芝等老朋友。

根據SK Hynix官方資料，72堆疊的3D NAND快閃記憶體相比48層堆疊的3D NAND快閃記憶體提升了30%的生產效率，內部運行速度提升了兩倍，讀寫速度提升20%。

不過從容量這方面來看，72層堆疊的3D NAND快閃記憶體還是256Gb，而且還是TLC類型的，容量上相比目前48層堆疊的3D NAND並沒有提升，SK Hynix提升的主要是效率及性能，而東芝、西數及三星都已經尋求更大容量的512Gb核心3D NAND快閃記憶體量產了。

按照SK Hynix的說法，72層堆疊的3D NAND快閃記憶體將在今年下半年開始量產，而512Gb核心容量的72層堆疊應該也會在規劃中了，就看SK Hynix何時宣佈了。