國行Galaxy S8/S8+圖文評測

三星旗艦近年都是雙版本原則（Galaxy S6/Note5那一代除外），版本間的性能、拍照都會有一定出入。在很多媒體連Galaxy S8都還沒拿到的情況下，愛搞機已經測過雙版本的Galaxy S8/S8+了。

Exynos版的內容可以戳《全網最細最全！三星Galaxy S8/S8+體驗評測》、《【視頻】Exynos 8895版S8真機上手評測》。我們這次帶來的是驍龍835版的S8/S8+詳細評測，按照往年經驗，Exynos版的贏面會更大一些，今年又會如何呢？

PS：因為國行可能要到5月份才上市，測試時的固件還比較早期的版本，最終版的表現可能會有一定的出入。

參數

外觀與做工

Galaxy S8/S8+正面最震撼的是超高屏占比的圓角曲屏，正面沒有任何標識，機身整體輪廓和Galaxy S7非常相似（大機輪廓更像Note7）。

雙曲面對稱設計，閃光燈、心率感測器位置挪到左邊，右側放下了指紋識別模組，其不可按壓，但滑動可以下拉/折疊通知欄。正面很震撼，但背面就有點“偷懶擠牙膏”的嫌疑了。

今年所有版本正面都是黑色，但只有黑色版的邊框也是黑色的，輪一體性上，黑色版肯定會是最好的。而這個做在玻璃下的黑色鍍膜，在不同的光線和角度下也有細微的顏色差異。但要吐槽的是，測試機的背蓋玻璃貌似沒有防指紋塗層，隨手就是一個指紋，希望量產機會補上塗層。

熟悉的機身佈局：右側電源，左側音量按鍵改成連體設計，並新增Bixby按鈕。底部是耳機、Type-C介面、麥克風和揚聲器開孔，頂部是卡槽（比Exynos版多了高通4G的貼紙）。國行版都是雙卡設計，「與或卡托」，可以同時插入雙nano-SIM卡或nano-SIM卡+mirco SD卡（需要雙卡和記憶體卡的使用者，只能自己動手改造把sim卡貼在記憶體卡上）。

玻璃高於金屬邊框而且沒有塑膠墊圈過渡，貼合非常緊密，做工接縫無可挑剔。正反曲面弧度一致，上下玻璃邊緣的2.5D弧度較前代要小一些。而金屬邊框有了亮面塗層，顏色和亮黑iPhone接近（藍色版為藍色邊框，銀色版的邊框則為銀色），具體防刮性能未知，肯定比亮黑版iPhone的防刮性能好，正常使用沒發現劃痕，但它沾染指紋和灰塵的能力對比iPhone並沒有什麼本質性差別。

Galaxy S8/S8+外觀對比

Galaxy S8/S8+的邊角弧度接近，導致螢幕更大的大機看起來更像是Note7的強化版。兩部機器的三維控制都很好（6.2英寸螢幕的S8+寬度只比S7 edge大0.8mm），單獨放置很難發現S8+是大機，測試的時候也經常得反應一下才能發現自己拿的的哪一部。

5.8英寸螢幕的S8，真機非常小巧，大小和5.1英寸螢幕的華為P10接近，手感和單手操控性出色。而S8+寬度不是問題，但長度上和6寸屏機型接近，呆在稍微緊身一點的牛仔褲口袋裡可能會頂口袋。

螢幕

Galaxy S8/S8+分別搭載5.8和6.2英寸曲面圓角18.5:9螢幕，2960×1440解析度（系統預設模式以2220*1080的解析度渲染，需要在設置或裝置管理員中進行更改才能全解析度渲染），兩機的PPI分別達到570和529，支持HDR，通過了UHD聯盟認證，符合4K HDR視頻播放標準。

所有版本的螢幕都一致，S8的螢幕手動亮度最高365尼特，全白屏強光下最高亮度在600尼特左右。基本模式比以前色溫更冷一些，達到了7000K，deltaE（越小越好）平均2.7，最大只有5。整體資料還是比較優秀的，但曲屏裡面，色准最好的還是S6 edge。作為對比iPhone 7是1.6，Note5是1.8，S6 edge+是2.6，S7 edge是2.9。

極限亮度與偏紅問題：自動模式下強光照射，再加上白色顯示面積縮小的情況下，極限亮度可以接近900尼特，極限亮度成績比Note7稍弱，但也不排除這是測試機的原因導致。另外值得注意的是，我們拿到的4台國行Galaxy S8/S8+，都有一定程度的螢幕發紅傾向，上下角度稍微一大就會偏紅。這是之前歐版G950F/G955F上都沒有這樣的現象，希望只是測試機的個體問題。

系統

桌面

桌面負一屏Bixby

強化版通知欄

國行版默認全網通，而港版應該會支援電信卡

國行版的系統和歐版G950F/G955F略有差別，多了部分很接地氣的功能（當然，大部分在S7上已經有了）：裝置管理員有自啟控制、詳細的流量控制、下拉欄亮度調節可以選擇是否直接在第一次下拉的時候顯示、通知欄快捷開關可以調整按鈕疏密程度、電話有黃頁、短信有類型標籤分類、多工介面有全屏拉伸快捷按鈕等。

特殊比例適配與大小機差異

2K15默認會有黑邊

今年Galaxy S8/S8+採用18.5:9比例螢幕，嚴格遵循安卓設計規範的應用一般都可以自動適應。但安卓平臺的應用，特別是國內應用良莠不齊。實際測試，UC/京東等資訊型應用，2K15/2K17/崩壞3/激流快艇/神廟逃亡等遊戲，默認開啟不會自動拉伸，會有黑邊。

拉伸前後對比

遊戲助手（虛擬按鍵欄會自動顯示遊戲助手和按鍵遮罩等功能）

成功拉伸：

激流快艇3

NBA 2K17

崩壞3

但國行系統中，在多工介面有“全屏拉伸”按鈕，可以對應用進行強行拉伸，這是國行三星的遊戲助手裡新增的一個功能。自動全屏之後效果相當自然，像UC、京東、激流快艇、崩壞3等，所有的20幾個協力廠商應用都能全屏顯示。

UC和京東，自動拉伸前後

拉伸前後畫面疊加

神廟逃亡也無法完美拉伸，遊戲進入的畫面沒有壓扁，而是橫向縱向都被拉伸，因此丟失了橫向的邊緣內容

自動拉伸效果：大部分應用都能無損全屏顯示，在王者榮耀等部分遊戲和資訊類應用，更長的螢幕會有更大的視野，可以顯示更多的內容。但NBA 2K17是直接拉伸畫面，畫面貼圖會有壓扁的現象，無法利用18.5:9畫面多出來的視野；寺廟逃亡甚至出現了開始畫面縱向和橫向共同拉伸的情況（邊緣畫面丟失），而且還保留了虛擬按鍵條……GPU GFLOPS這種冷門應用，在S8+上還出現了內容與通知欄重疊的問題（下圖最右側）。

左側兩張為S8拉伸前後，右側兩張為S8+拉伸前後

左側兩張為S8和S8+的黃頁，右側為S8和S8+上的流覽器

大小機顯示內容對比：在5.8英寸螢幕的S8上，其通知欄和虛擬按鍵條本身就更寬，對於本來就不是全屏顯示的普通應用，拉不拉伸其實都不會有大的體驗提升。

而6.2英寸螢幕的S8+，其DPI更高（內容顯示密度更大），同樣的應用，其實際顯示的每個元素都和S8差不多，同一個應用一般都能多顯示一兩行。S8+不但拉伸前後分別更大，而且其全屏拉伸後，顯示內容的優勢會更加明顯。對於深度用戶或者遊戲玩家，S8+會有更大的視野，其會是更適合“作弊”的工具。

性能

我們愛搞機之前測的歐版G950F/G955F，用的是三星自家的Exynos8895（亞太版、韓版、台版都是這個處理器），而國行、港版、日版、美版則是高通驍龍835。

性能分析：驍龍820上的Kryo是高通第一個全自主設計的64位CPU，這個獨特的構架在浮點的IPC性能（每週期可處理的指令數，可以籠統理解性能=IPC*頻率）很強，但整數IPC性能還不如ARM之前的A57構架（A72的前代），能效比也要低一點。但今年高通放棄了前代的完全自主構架，新的Kryo 280核心，採用的極有可能是修改版的4核A73+4核A53，除了名字，和原來的Kryo構架沒有任何的傳承關係。

驍龍835在CPU性能方面未能和Kirin960拉開差距，還小輸給Exynos 8895。GPU性能雖然碾壓前代，但對比同代，則優勢不再了。

驍龍835的CPU在表現上也和Kirin 960上的A73非常接近，整數運算IPC性能對比820/821有明顯的提升，但浮點性能對比前代有所下降（整數運算影響日常應用速度、浮點運算更多影響圖形性能）。

而GPU方面，Adreno 540和驍龍820上的Adreno530構架分別不大，做了小優化避免以前的瓶頸，並對ALU和寄存器進行了優化。通過改進depth rejection深度篩檢程式減輕了每個圖元點的計算負載，以提升性能表現並降低能耗。再加上10nm制程，讓其可以做到更高頻率（從624MHz小幅增長到710MHz）。高通宣稱在3D渲染上，其對比820的Adreno 530有25%的提升。但S8/S8+上的GPU頻率只有670MHz，實際性能漲幅預計“只有”15-20%。

對比對象：我們使用滿頻的驍龍835原型機（最高主頻2.45G，GPU最高710MHz）、同代Exynos 8895的代表S8+（G955F測試機最高頻可以達到2.5G）、驍龍821的代表一加3T、Kirin960的代表榮耀V9、以及前代Exynos 8890的代表S7 edge進行對比。詳細對比可以去我們愛搞機的官網跑分庫查看。

CPU運算性能測試

性能和續航的天平上，三星的調教向來更偏向與續航，國行S7 edge更是性能幾乎墊底的驍龍820機型。比較遺憾的是，在驍龍835上也很可能會重複這樣的悲劇。

因為最高主頻“只有”2.35GHz，國行S8/S8+的CPU性能不如驍龍835原型機，贏上一年的驍龍821/Exynos8890問題不大，但還是輸給了自家的歐版S8+（8895）、Kirin960(榮耀V9)和驍龍835原型機，是這一代3大旗艦SoC裡，暫時CPU部分最弱的一個。而8895在三星的調教上，依舊可以和835原型機、Kirin960互有勝負，成績喜人。

GPU圖形性能測試

驍龍835性能狂暴，雖然不如835原型機，但僅憑Galaxy S8/S8+上的“只有”670MHz的GPU，成績已經拋離前代驍龍821和Kirin960等對手一截，更是把前代Exynos8890按在地上摩擦。

這個史無前例的圖形性能，放在遊戲上，可以比前代跑在更低的頻率下，而且GPU佔用率更低，發熱控制更好。在821玩起來還是攤手的NBA 2K15/2K17上，國行版Galaxy S8/S8+的GPU大部分時間維持在257MHz，連向來壓榨GPU的激流快艇3極限頻率也只有414MHz。這個反映到實際上，就是Galaxy S8/S8+在大型遊戲裡不但非常流暢，而且還只是溫手級別，這對遊戲的發熱和續航都是個好消息。

存儲性能測試

這裡所有的S8/S8+都是64G，S7 edge為32G，一加3T和榮耀V9為128G。快閃記憶體測試中，一般容量越大，速度越快。但實際成績中，Galaxy S8/S8+持續讀寫性能狂暴，即便容量只有64G，但都把榮耀V9和一加3T砍于馬下。比較可惜的是，驍龍835版還是弱於Exynos 8895版。而隨機讀寫性能，會直接影響應用開啟速度，除了榮耀V9有逆天的表現外，雙版本S8+的成績都比國行S8要強，具體原因不明。

核心調度&發熱

Galaxy S8/S8+上的驍龍835本來就是降頻版，最高主頻從2.45G降到了2.35G，再加上10nm制程的支援，這是極少數可以長時間“最高頻”運行的SoC。

拷機期間頻率監控（左S8，右S8+）

15分鐘拷機輸出記錄（左S8，右S8+）

Galaxy S8/S8+日常應用開啟和運行基本都可以8核全開滿頻跑，在30分鐘的NBA2K15/激流快艇3後，拷機也能長時間滿頻運行，只是每隔一段時間會有段時間的小幅降頻，8核全開拷機15分鐘都沒有明顯的性能下降，表現驚豔。這是多年來，少數可以貨真價實用足理論性能的旗艦芯。

此外，遊戲期間的發熱也不高，僅是溫手的級別，只有在亮度最高再加烤機的時候可以達到燙手的級別。因為普通大型遊戲和壓榨GPU的遊戲，對驍龍835來說壓力已經不夠了，導致我們平時的遊戲發熱測試中測得的溫度偏低。室溫26度，運行激流快艇25分鐘後，S8+最高溫只有36.6度；而運行NBA 2K15的S8最高溫更是只有34.4度，表現驚豔。

Galaxy S8/S8+拍照對比

拍照方面，雖然Galaxy S8/S8+上的攝像頭感測器從前代的IMX260/S5K2L1換成了IMX333/S5K2L2，正如發佈會所說，這次的重點不是硬體，而是軟體升級。攝像頭參數還是1/2.55，1.4μm單位圖元，雙核對焦，F1.7光圈。

這次拿到的4台國行Galaxy S8/S8+，用的都是索尼的IMX333感測器，而上次測試的歐版G950F/G955F則是S5K2L2，暫時未知會否像上一年一樣出現處理器和感測器交叉混用的情況。

國行版Galaxy S8/S8+相機介面比前代精簡，左右滑動分別是模式切換和各種拍照裝飾/濾鏡/浮水印。不得不說，這個半屏顯示和拍照裝飾相當接地氣。此外還加入了快門按鈕左右滑動進行變焦、上下滑動切換前後置攝像頭的設定。

拍照體驗：國行工程機的相機完成度要比國際版（8895）工程機要低，整體拍照體驗比國際版和前代都要差一些。首先是其相機快捷啟動和暖開機速度，都比8890版S7 edge慢，而且弱光取景的噪點也要更加明顯。雖然現階段的國行工程機對焦依舊很快，成片率也非常高，但成片速度卻反而比8890版S7 edge慢。這個差距在光線變差，觸發多幀合成等夜景演算法後會更加明顯。

場景1、2

場景3、4

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場景6、7

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成片效果上，我們手上的國行版S8固件更新一些，兩部機器實際成片在測光上略有差異，但整體分別不大。

Galaxy S8/S8+、S7 edge、iPhone、華為P10拍照對比

場景1

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場景2

場景3（主要看眩光控制）

場景4

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場景6

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場景7

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場景9

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場景11

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極弱光場景13

極弱光場景13畫面中央放大

和S7 edge、iPhone 7 Plus以及華為P10進行的對比中，國行版和國際版一樣，在眩光控制、白平衡和降噪塗抹上都有比較明顯的提升，燈光場景白平衡不會像前代偏紅偏暖噪那麼明顯。

而採用IMX333的國行版S8，其噪點塗抹不但比前代更乾淨，整體辨析力也和採用S5K2L2的國際版一樣，都可以小勝S7 edge。進一步拉開了和iPhone 7 間的差距，而作為國產代表的P10，在拍照上有待改進的地方還比較多。

續航與充電

因為上一年Galaxy Note7 的事故，三星對電池突然變得非常謹慎，Galaxy S8/S8+的電池分別縮水到了3000和3500mAh，容量都比5.5英寸螢幕的S7 edge要小。把Galaxy S8/S8+的螢幕面積折算成16:9螢幕的情況下，分別對應5.57英寸和5.95英寸。雖然有10nm制程SoC的加持，但兩部機器的螢幕面積都變得更大了，不禁讓人擔憂它們的續航。

經過了30分鐘大型遊戲（NBA 2K15），各30分鐘的wifi和4G上網和30分鐘本地視頻播放，共2個小時的高強度續航測試後，Galaxy S8/S8+剩餘電量都是83%，大機多出來的電量剛好被螢幕增長吃掉了。這個成績甚至不但在前代之上，甚至超過了4000mAh電池級別的對手，得再次感歎10nm大法好。要注意的是，這個只是2小時的測試，如果時間繼續延長，差距還會進一步被拉大。

上一年的驍龍820/821已經讓安卓旗艦集體碾壓iPhone 7 Plus了，而今年的驍龍835估計會讓一大波旗艦在續航上越跑越遠。

雖然續航不必過於擔心，但Galaxy S8/S8+還是維持了多年來的9V/1.67A充電頭。之前的消息顯示，Galaxy S8/S8+配的很可能就是Note7的TA200充電頭。放在現在動輒24W以上的安卓旗艦面前，這充電功率確實有失機皇之名。

實際功率上，我們分別使用原裝的9V/1.67A（15W，S7 edge的）AFC快充頭、最高功率25W的快充頭（Galaxy TabPro S）以及18W輸出的PD標準快充頭（Pixel XL的）進行測試，測試電量都在10%以下。結果Galaxy S8/S8+的充電功率都維持在12W左右。其中一部用著3月的固件的S8，充電功率甚至還被限制在了10W左右。

作為對比，S7 edge充電峰值功率是可以達到14-15W的，而Note7的峰值功率甚至可以達到20W。而Galaxy S8/S8+即便是一直維持12W充電而且電池只有3000mAh，機器的充電速度都不容樂觀。三星這次的充電功率明顯是過於保守了，希望後期固件和正式出貨時，能放寬功率限制。

總結

作為2017年上半年的衛冕機皇，Galaxy S8/S8+的表現確實可圈可點：

外觀上，震撼的超高屏占比曲面圓角螢幕、頂級的做工、依舊保持的防塵防水，這些都無可挑剔;

更狹長的螢幕有更好的單手操作性，沒有帶來太多誤觸和相容性問題，部分遊戲還能作為“作弊工具”；

拍照雖然只是擠牙膏式地小幅提升，但對焦性能、弱光成像依舊難有敵手；

驍龍835雖然GPU性能殘暴，但CPU性能方面未能和Kirin960拉開差距，而且還小輸給Exynos 8895；

在電池縮水的情況下，續航方面居然能反超前代，10nm制程的紅利巨大。

今年Galaxy S8/S8+的境況和上一年的S7 edge無比相似，甚至依舊可以套用上一年評測的結語：和其他品牌的手機因為驍龍835的特性而獲得加分不同，三星Galaxy S8/S8+反倒是因為驍龍835而被拉低了部分得分，這就是常年站在安卓之巔的廠商和其他廠商之間的差距。毫無疑問，它就是現役真正的安卓機皇，甚至“安卓”兩個字都可以省略了。而它的對手，或許就剩下Exynos 8895版的自己了。

來源：愛搞機