高通正研發驍龍845：明年用於三星S9，制程更激進

驍龍835首次將移動平臺帶入10納米新世代，讓移動平臺兼有低功耗與高性能計算的特性，而高通、三星並未放緩IC設計和制程反覆運算的速度。

未來移動平臺：驍龍845

據韓媒Aju Business Daily報導，高通正和三星半導體S.LSI部門開發新一代移動晶片，將用於明年旗艦機Galaxy S9之上，該處理器平臺很有可能被命名為驍龍845。

10nm工藝進化到第二代

4月19日，三星半導體宣佈其第二代10nm FinFET工藝——10LPP（Low Power Plus）即將投產。隨著3D FinFET結構的進一步增強，與相同面積的第一代10LPE（Low Power Early）相比，10LPP工藝最高可以提升10％的性能或降低15％的功耗。

或許，明年更激進

有分析認為，驍龍845很可能使用比10nm更激進的工藝製造，理由是三星半導體在3月15日宣佈將8nm和6nm制程添加到產品路線規劃中（roadmap）。預計新制程將在2018年初量產，符合驍龍845的上市節點。

略有意外的是它

高通和三星半導體已有長達十年的戰略代工合作，不過雙方未來的合作關係並不如想像中那般明朗。據知名爆料人士@i冰宇宙消息，高通和三星代工合作驍龍845為止就告一段落了。

移動平臺的未來將何去何從呢？對於消費者而言一切都是未知數，驚喜背後源自於核心硬體的突破，始終讓人葆有期待。