年產值超100億美元：國產NAND記憶體項目武漢開工

IT之家訊據新華網報導，總投資240億美元的國家記憶體基地專案近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成後，年產值將超過100億美元，實現我國積體電路存儲晶片產業規模化發展“零”的突破。
記憶體是資訊系統的基礎核心晶片，最能代表積體電路產業規模經濟效益和先進製造工藝，同時也是我國進口金額最大的積體電路產品。
此次開工的國家記憶體基地專案位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Fab廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。
項目一期計畫2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。