學生裝機B150平臺記憶體怎麼選擇？

2014年底，各大廠商紛紛上架了自己的DDR4記憶體產品，起跳頻率達到2133MHz，這也標誌著DDR3時代的終結。DDR4記憶體頻率原生支援2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。

由於DDR4的標準尚未統一，普及得並不是很快，但總體的趨勢已經開始明朗。如今DDR4的標價還是相當高的，比如美商海盜船復仇者紅光燈條，業界也稱之為“紅梳子”， 對裝版的8GB標價達到1099元。為此，我們放棄了它，轉身選擇了金士頓新款DDR4的記憶體。

這款記憶體官方給出的型號為KVR21N15S8/8，容量只有8GB，主頻剛好夠著DDR4的起跳頻率2133MHz，相容X99系列晶片組；目前來說性價比還是不錯，比“紅梳子”便宜了一百多元，很適合學生朋友選購。

相比DDR3記憶體而言，DDR4具有以下特點，採用16bit預取機制，有別於DDR3的8bit；同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規範，資料可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。

記憶體標貼上標注有KVR21N15S8/8的字樣，KVR表示是金士頓經濟型記憶體，也就是常說普條，21代表頻率2133，N表示是普通型，15表示CL值為15，也是時序，S8表示單面8顆粒，8是8G容量。

這根普條的存儲顆粒上顯示有6HB77 D9TBH以及6GB77 D9TBH的字樣，經過查詢後得知，極有可能代指來自Micron鎂光的原廠顆粒，旁邊的M字樣的LOGO也佐證著這一點，鎂光可是全球第三大記憶體晶片廠，是全球著名的半導體記憶體方案供應商，是美國500強企業之一。

因為沒有馬甲，所以重量也減輕不少，整根不到18克，背面很光滑，沒有出現焊腳凹凸不平的現象。

相比DDR3而言，它的介面位置也發生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4記憶體有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

金手指採用平滑曲線設計，相比傳統平直的金手指，它既能保證安裝的穩固和信號的穩定傳輸，同時又不會吸得過緊而影響插撥操作。

事實上，DDR4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬，DDR4記憶體的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

除此之外，DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB（單顆晶片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。

而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低，這也是DDR4成為未來趨勢的主要因素。

原以為進入DDR4時代之後，到處將是馬甲條、燈條、紅梳子之類的2400MHz以上顏值控記憶體的天下，“普條”將會壽終正寢變得極其罕見。如果真是這樣，學生朋友將會吃不少苦頭，畢竟口袋決定腦袋與行動。流行於開學季的i5 6500+B150平臺，你上到2400MHz的記憶體也是浪費。如今，好了，有了金士頓DDR4 2133 普條，它簡直就是為B150平臺而生的DDR4。