東芝全球首發QLC快閃記憶體：壽命堪比TLC

IT之家7月4日消息 東芝日前發佈世界首個基於QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND快閃記憶體晶片。對於快閃記憶體技術的未來發展而言，這可謂是相當重大的消息。

在曾經的一段時間裡，從TLC升級到QLC看上去似乎難度頗高，因為精確區分電荷電平所需要的生產精度是會成倍增加的。但在自己最新的3D NAND快閃記憶體當中（使用了64層堆疊式QLC存儲單元），東芝就成功做到了這一點。

東芝的QLC技術實現了每快閃記憶體顆粒768Gb的容量，相比之前512Gb TLC顆粒顯然是巨大的提升。東芝指出，新的QLC顆粒能以16顆粒封裝，從而實現單設備1.5TB的容量——這被東芝稱為目前單獨一個單元的最大容量。

東芝宣稱，他們的QLC NAND擁有多達1000次左右的P/E程式設計擦寫迴圈，大大高於業界此前幾年預計的100-150次，幾乎已經和TLC快閃記憶體旗鼓相當。