最強10nm八核 驍龍835國內首秀

去年11月份，高通正式宣佈了旗下的新旗艦處理器驍龍835，隨後又在今年初的CES大展上公佈了它的技術細節。現如今，驍龍835終於要在國內正式亮相了。

今天，高通宣佈，將於3月22日下午在北京召開驍龍835亞洲首秀活動，屆時將詳細介紹驍龍835的一些技術細節，據說還有會跑分展示，令人非常期待。

目前已經公開的資料顯示，驍龍835採用10nm工藝打造，集成了八顆高通自主研發的Kryo 280處理器核心，四顆大核心頻率為2.45GHz，四核小核心頻率則是1.9GHz；內置的GPU為Adreno 540，DSP省級到Hexagon 682。

此外，驍龍835還整合了X16 LTE基帶，這讓它成為了全球首款下行速率達到千兆級別的SoC。同時，驍龍835還支持QC 4.0快速充電，相比QC 3.0來說效率可提升30%，速度能夠提升20%，而且發熱量更低。

而通過10nm工藝加持，高通表示驍龍835的核心面積減少了35%，而且功耗相比驍龍821降低25%。

據說，三星Galaxy S8、小米6等旗艦機均已確定會搭載驍龍835處理器，前者本月底會正式發佈，後者的發佈時間最遲應該是4月份。