持續發力 三星宣佈8nm、6nm工藝將問世

近年來，三星半導體業務可謂一日千里，新工藝進展神速而且表現優秀，同時Exynos系列處理器也是大殺四方。

三星電子今天宣佈，10nm FinFET工藝自從2016年10月底率先投產以來，按照預期取得了穩定的高良品率，滿足了客戶需求——這顯然是在駁斥業內有關10nm良率不佳的傳聞。

三星透露，迄今為止，已經出貨了超過7萬塊採用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工藝製造的晶圓。

三星自家的Exynos 8895，以及高通的驍龍835，都採用這種工藝製造。

另外，三星還宣佈增加8nm、6nm工藝，它們分別是10nm、7nm的改進版，官方宣稱“可比現有工藝提供更好的靈活性、性能、功耗優勢”，滿足不同客戶需求，帶來更強的成本競爭優勢。

三星將在5月24日舉辦美國三星代工論壇，披露8nm、6nm的更多技術細節。