中關村線上消息：據外媒報導，三星電子宣佈其10納米（nm）FinFET工藝技術的產能正在穩步提升。目前為止，已經將70000多顆第一代LPE（低功耗早期）矽晶片交付給客戶。與此同時，還將發力8nm和6nm工藝技術的研發。
三星10nm產能穩步提升 發力8nm/6nm工藝
三星電子執行副總裁Jongshik Yoon介紹，10nm第二代LPP版和第三代LPU版將分別在年底和明年進入批量生產。目前三星Exynos8895以及高通驍龍835處理器均採用10nm工藝製造。
除此之外，三星還宣佈將在當前的工藝路線圖上增加了8nm和6nm工藝技術，它們將“提供更大的可擴展性，性能和功耗優勢”。據悉，8nm和6nm工藝的所有技術細節將在5月24日美國舉行的三星鑄造論壇上公佈。