上個月底對小米來說可謂振奮人心，因為小米經歷 28 個月的努力，終於完成了第一枚自主晶片“澎湃 S1”的發佈，這也是繼華為之後第二家有能力開發自主晶片的手機廠商。不過，按照之前的計畫，小米今年準備的是兩款處理器，分別定位中端和高端，澎湃 S1 只是中端產品而已，很多機友想知道小米的高端晶片究竟準備得怎麼樣了。
如果按照之前的各方傳聞，小米的高端晶片內部型號為 V970，而且還能夠採用三星最新的 10 納米 FinFET 工藝制程打造，只是能夠量產出貨的時間要稍晚一些，或許是年底。事實上，植樹節期間又有新爆料顯示，小米的高端晶片可能暫時沒指望了，因為小米準備的是另一款定名澎湃 S2 的第二代晶片，而且也不要指望有 10 納米工藝。
詳細瞭解過澎湃 S1 的機友應該都知道，這枚新品最大的缺陷有兩點。第一是工藝制程，今天大多數處理器都已經邁向 16 納米或 14 納米的時代了，但澎湃 S1 還只是老舊的 28 納米 HPC 工藝制程。第二是數據機模組，僅支援 GSM/TDSCDMA/TDD LTE 制式的網路，而且最高僅支援 Cat 4 150Mbps 的速率， 技術上不支援雙載波聚合，不支援 MIMO 或 64QAM。
那麼所謂的第二代晶片澎湃 S2 解決這些問題了嗎？只能說部分解決了。爆料稱，澎湃 S2 工藝比 S1更先進了，採用了台積電的 16 納米生產，八核心設計，不過網路支援上還是“五模”晶片，目前 S2 晶片樣品已經完成開發了，預計第三季度量產，然後第四季度搭載澎湃 S2 的小米手機就能夠正式上市銷售了。
爆料者還表示，小米澎湃 S1 和 S2 能夠完成，自然離不開聯芯的技術支援，而且是基於聯芯的 SDR1860 平臺設計的晶片，S2 在設計上要比 S1 更完整一些，產能更加充足。話說回來，小米在工藝上沒有跟隨大流邁進 10 納米，的確是明智之舉，畢竟 10 納米成本高和良品率控制不成熟，16 納米無論對小米還是消費者都是能接受的選擇。