據外媒報導，英特爾在14nm支撐上已經推三代產品，至於10nm工藝也僅僅表示在今年進行試驗性生產。為什麼會這樣呢，對此三星和英特爾的專家紛紛坦言，只要是受困於EUV（極紫外光刻）推進的困難。
英特爾三星說EUV光刻機仍面臨不少商用難題（圖片來自baidu）
英特爾以及三星等在加州舉辦的國際光電工程學會(SPIE)年度會議上表示，用於10nm以下晶片生產的關鍵技術或者說設備EUV（極紫外光刻）光刻機仍面臨不少商用難題。
三星表示去年底他們生產出了首款EUV光罩，瑕疵已經很少。不過，三星表示，他們仍然認為EUV可用於其7nm制程節點。
至於英特爾則是從1992年就著手開發，去年底為晶圓廠出貨其首款達到商用品質的EUV光罩，目前已經參與到14、10和7nm無缺陷網線生產。在現有的8個核心EUV計畫中，有6項計畫已經準備好或即將就緒。英特爾EUV計畫負責人Britt Turkot指出，用於覆蓋EUV晶圓的防塵薄膜仍在開發中，而用於檢測EUV光罩的新工具也還驗證中。
與三星激進的做法不同，英特爾表示需等待完全成熟後導入。英特爾EUV小組專家Britt Turkot稱，雖然其可作業時間超過了75%，但一旦運行，光罩問題就會層出不窮。
目前在最高端的沉浸式光刻機中，荷蘭ASML（阿斯麥）佔有80%的份額，其中NXE 3350B是全部14套EUV系統中的絕對主力（累計6套），而其單價高達6億元人民幣，等同於一台F35戰鬥機的價格。