目前在下一代存儲晶片的研發當中，除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片（非易失性阻變式記憶體）。
2016年3月，Crossbar公司宣佈與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將採用自家的40nm CMOS試產ReRAM晶片。
近日，兩者合作的結晶終於誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。
據介紹，這種晶片比NAND晶片性能更強，密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單晶片（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。
另外，按計劃更先進的28nm工藝ReRAM晶片也將在2017年上半年問世。■