北京時間1月4日淩晨，在CES 2017消費電子展開幕前夕，美國高通公司正式發佈了旗下驍龍系列最新旗艦驍龍835手機晶片，驍龍835採用三星10nmFinFet工藝，8核Kryo 280架構，4大核最高主頻2.45GHz，4小核最高頻1.9GHz，驍龍835配備Adreno 540GPU，還集成下行速率高達1Gbps的X16通信基帶，規格參數十分強悍。
驍龍835的參數可能看上去冷冰冰的，普通消費者可能並不清楚搭載驍龍835的手機在使用體驗上究竟有哪些改變；那麼究竟哪些方面的提升在未來的基於驍龍835的旗艦手機中消費者能夠真切感受到呢？筆者認為是
續航以及CPU性能這兩點的改善
。
首先需要明確一個概念，驍龍835是一款SOC（System On Chip），並不單單是CPU，CPU只是一款晶片的一部分，拿蘋果A10 Fusion來說，其CPU所占整個SOC的面積甚至都沒有GPU所占的面積大。
為什麼筆者認為驍龍835的其他方面的參數提升（比如集成了下行速率高達1Gbps的X16基帶）對於消費者來說感知不明顯呢？我們先來看一下驍龍835的定位，其定位旗艦級移動晶片，這裡的移動不僅僅指手機，基於Windows的筆記本以及平板/移動VR設備/車載智慧單元等等領域都是驍龍835的用武之地。所以驍龍835並不僅僅是為手機而生，還集成了許多其他技術，單純在手機上並不能完全發揮出來。
比如在中國大陸市場，由於運營商網路目前還停留在4G+水準，理論峰值下行速率在300Mbps左右（考慮到使用者數實際下載速度要比這一理論值小得多），驍龍820的X12基帶600Mbps的下行速率已足夠消費者使用；但我們知道高通的客戶並不只有手機廠商，還有運營商，比如澳大利亞的電信運營商已經在組網運行X16基帶水準的高速移動網路。
還有諸多特性筆者就不一一列舉了，驍龍835的部分特性雖然我們用不到，但高通能做出來就是一種技術實力的展現，任何領域都需要有引領者，移動晶片領域也不例外。
另外驍龍835對雙攝的支持更好，明年採用雙攝的旗艦手機會很多，相信會有更好的拍照表現。
續航提升
驍龍上代旗艦產品驍龍820的續航雖排在手機晶片第一梯隊但並不算特別優秀，跟同一性能梯隊的三星Exynos 8890相比功耗更高，而驍龍835相比驍龍820最大的改進之一便是功耗。由於採用了最新的10nm工藝，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%。能效比的提升使得續航表現有進步。也就是搭載驍龍835的手機，電池更加耐用了。
CPU性能
CPU性能，8核Kryo 280架構，4大核最高主頻2.45GHz，4小核最高頻1.9GHz。我們拿驍龍835跟2016年的14/16nm手機晶片做個比較。
驍龍835跟驍龍820/Exynos 8890/麒麟950等上代旗艦晶片相比：
驍龍835相比前代820最大的改變就是從四核心（2大核+2小核）設計改為八核心（4大核+4小核），驍龍820相比同期的安卓陣營旗艦晶片三星Exynos 8890以及華為麒麟950在CPU的單核性能上相差不大，而由於核心數少了50%，所以CPU多執行緒跟後兩者相比是弱項；驍龍835的八核心設計算是補足了了驍龍820多執行緒弱的短板。
跟蘋果A10 Fusion相比：
而既然是八核心設計，那也意味著單核性能表現中規中矩，不可能達到蘋果A10 Fusion的那種驚人的單執行緒性能，更強的性能意味著更高的功耗，從電晶體數量以及晶片功耗等方面來考量，如果驍龍835的單個大核心性能達到了蘋果A10 Fusion的水準，那麼4顆大核的功耗以及發熱難以hold住，即使是採用當下最頂級的10nm半導體制程工藝也依然會力不從心。此前高通的手機晶片熱設計功耗（TDP）在5W左右。
驍龍835CPU性能方面一句話總結就是多執行緒不再是短板，這在開啟應用的瞬間感知會更加明顯。
驍龍835可以依然存在的幾點不足之處
①峰值性能的持續性問題
CPU發熱降頻一直是老生常談，目前在CPU領域對發熱降頻做得最好的是英特爾以及蘋果公司，英特爾的酷睿系列晶片以及蘋果的A系列晶片的峰值性能持續時間令人印象深刻，而反觀高通/海思/聯發科的晶片一發熱就降頻，導致性能下降，這一點在玩遊戲時尤為明顯。功耗控制表現出色的驍龍820在峰值性能持續性上依然不如蘋果A9，所以驍龍835會有何改進值得期待。
②三星電子的產能是否能跟上
去年高通發佈驍龍820之後在很長一段時間內的供貨一直很緊張，最直接的原因是由於量產初期產能還沒跟上，高通把大部分的產能都供給三星S7/S7 edge這兩款機器，導致國產廠商拿不到貨，而明年初這一問題可能依然會持續，不過到了2018年這一問題有望緩解，有傳言高通會在2018年的半導體7nm制程節點回歸台積電代工陣營，而同期三星的全網通基帶也已成熟，所以高通與三星可能就此分道揚鑣，筆者預計三星Galaxy S9會全部採用自家Exynos系列晶片。
③驍龍835是否會像驍龍810出現過熱問題
至於驍龍835是否有一定幾率出現驍龍810過熱問題，筆者認為，10nm相較14/16nm的工藝進步不算是非常大，技術難度相對較小，7nm才是重要的節點，另外再加上高通已經對64位元架構晶片駕輕就熟，所以綜合評估來看驍龍835不大可能會出現過熱問題。
另外值得關注的點：
哪家手機廠商首發驍龍835其實並無意義
至於今年底或者明年初哪家手機廠商首發驍龍835，其實這更多的是象徵意義，實際意義不大，因為明年驍龍835真正首批開始大規模供應的手機可能依然會是三星的S8系列，一方面，高通驍龍835是三星半導體代工的，另一方面，高通拋棄台積電選擇三星作為晶片代工廠商也是有條件的，在三星還沒搞定全網通基帶的情況下依然會在有全網通需求的國家比如中國、美國市場採用高通晶片，在驍龍835晶片量產初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。
總之，驍龍835無疑會成為2017年多數安卓旗艦手機的標配，其性能與功耗表現值得期待。■