高通2017年1月4號在賭城舉辦的CES 2017展會上公佈了驍龍835完整的規格資訊，作為10nm的商用平臺首發，這個最新產品成為展會的焦點之一。
在對比照片中，我們可以看到驍龍835真片和我國的一角硬幣、美分以及驍龍820對比，對於內部空間寸土寸金的手機來說，封裝面積縮小了35%（相較820）的驍龍835將幫助手機做的更薄或者集成更多功能。
大家最關心的CPU規格方面，驍龍835啟用的Kryo 280核心，Big 4+Little 4總計八核心設計。前者主頻提升到2.45GHz，二緩2MB，後者提升到1.9GHz，二緩1MB。按照高通的說法，應用載入、網頁流覽、VR等會調用大核，另外80%的時間都是小核在工作。
內部設計方面，高通沒有透露太多，只是表示記憶體控制器、互聯架構都是自己設計，非公版。
對於主頻，其實外界普遍有些失望，因為按照ARM的設計，A73在14/16nm下就可以跑上2.8GHz，Kryo本應更優秀。所以我們猜測終端上市後（10nm LPP）可能會有“雞血超頻款”，或者高通在為“驍龍836”埋伏筆？
GPU主頻未公佈，高通稱3D渲染比530提升了25%。另外，對比G71，540每時鐘處理紋理過濾的效率也提升1倍，達到16texels（三線）。
高通還介紹，驍龍835中的CPU、GPU、DSP和軟體框架組合提供了一個高性能的異構計算平臺，為下一代沉浸VR/AR和人工智慧做了強力支撐。
驍龍820作為目前最前沿的移動處理器之一，能否被驍龍835的問世秒殺呢？讓我們一起期待2017年即將搭載驍龍835的智慧手機！