【IT168 資訊】北京時間今天淩晨，趕在CES 2017拉開帷幕之前，高通正式發佈了旗下首款10nm FinFET工藝制程的驍龍835處理器，採用八核心的Kryo280架構，整體性能更強，同時由於採用10nm FinFET工藝製造，晶片功耗更低。目前已經投產，預計今年上半年我們就可以見到搭載驍龍835晶片的智慧手機了。
驍龍835最明顯的特點就是採用10nm FinFET工藝製造，整個晶片封裝尺寸減小35%，功耗降低了25%(比驍龍801降低了50%)。作為高通今年的旗艦級移動處理器，驍龍835採用了高通自助的Kryo280架構，採用4大核+4小核的設計，大小核最高主頻分別為2.45GHz和1.9GHz。並集成了Adreno 540 GPU，支援4K顯示解析度;支援4K屏、UFS 2.1快閃記憶體標準，LPDDR4x四通道記憶體、VR、類iPhone 7 Plus雙攝和Quick Charge 4.0快速充電技術。
另外，在基帶方面，驍龍835集成了X16 LTE數據機，支援Cat.16下行/Cat.13上行，最高下載速度可達1Gbps。同時還集成了2x2 11ac MU-MIMO技術，支援802.11ad Wi-Fi(60GHz)、藍牙5等。
目前，驍龍835處理器已經投產，預計今年上半年我們就可以見到搭載驍龍835晶片的智慧手機了。至於誰會搶到驍龍835的首發目前尚未明確，三星Galaxy S8已經確定延期到4月發佈，而搭載驍龍835的LG G6或將會在2月份的MWC上發佈，另外也有消息傳出小米6將會在國內首發驍龍835，另外也有消息表示華碩將會搶先在即將開幕的CES上首發一款搭載驍龍835處理器的手機，讓我們一起拭目以待。
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