北京時間1月4日淩晨，CES 2017消費電子展開幕前夕，美國高通公司正式發佈了旗下驍龍系列最新旗艦驍龍835手機晶片，驍龍835採用三星10nmFinFet工藝，8核Kryo 280架構，4大核最高主頻2.45GHz，4小核最高頻1.9GHz，驍龍835配備Adreno 540GPU，還集成下行速率高達1Gbps的X16通信基帶，規格參數十分強悍；預計驍龍835是2017年安卓旗艦手機的標配之一。
制程工藝
高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835晶片面積將變得更小。
2016年10月，三星宣佈率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的晶片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過採用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的晶片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發佈的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合，預計將會提升電池續航。
核心/基帶
驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為
Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，Adreno 540 GPU支持OpenGL ES 3.2,、完整OpenCL 2.0、Vulkan、DX12，支持4K屏。此外驍龍835還配備2x2 11ac MU-MIMO；802.11ad Wi-Fi（60GHz）；支持藍牙5；Hexagon 682 DSP；雙通道LP DDR4x-1866MHz；導航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS；單鏡3200萬圖元、雙鏡1600萬圖元，Spectra 180 ISP；支援錄製4K 30FPS視頻和播放4K 60幀視頻（HDR 10）；Quick Charge 4；WCD9341音訊解碼，32-bit/384kHz；
快速充電
新的驍龍835處理器，支援Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的晶片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。
Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配範圍更廣泛。
效率提升
高通驍龍835採用三星10nm制程工藝，10nm工藝將會帶來更好的性能，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基於14nm製造工藝打造。 三星曾表示10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%。而高通此次將精力主要放在10nm加持下驍龍835的功耗表現上，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%（比801降低了50%），也就是平均每天多用2.5小時。
更高的記憶體頻寬
驍龍835會率先支援傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，頻寬提升明顯。
那麼問題來了，這麼強悍的驍龍835哪家手機廠商會首批大規模採用呢？■