安卓中國1月3日消息，此前，高通已經確定將於北京時間1月6日召開介紹會，會上將公佈驍龍835的詳細參數。日前有外媒曝光了驍龍835的PPT圖片，而現在爆料大神@
evleaks 直接將官方新聞稿公佈，這使得驍龍835的配置被全面曝光。
驍龍835將採用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心設計，大小核均為Kryo280架構，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。支援Quick Charge 4.0快速充電技術，基於三星10nm FinFET工藝打造。
官方新聞稿中出現的驍龍835主要資訊如下：
電池續航：
驍龍835採用10nm工藝，自主Kryo 280八核心設計，可以提供1天以上的通話時間、5天以上的音樂播放、7小時以上的4K視頻，配合QC4.0充電技術，充電5分鐘，使用5小時。
沉浸式AR、VR：
3D渲染速度比820快了25%，同時多支援60倍的螢幕顯示色。
驍龍835支援場景和物理音源，支援解碼DSD原片，動作位移延遲減少20%，6角度追蹤。
拍照：
通過Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合，拍照更清晰、對焦更迅速。
軟體演算法方面，高通推出了電子防抖3.0、高級4K視頻防抖、滾動快門校正、雙鏡優化等。
連線性：
X16 LTE基帶可以提供1Gbps的下載速度，支援802.11ad Wi-Fi，得益於10nm，基帶模組封裝面積縮小了45%，能效提升60%。
除此之外，驍龍835還在安全性、深度學習上做了改善加強。