【IT168 資訊】高通的驍龍835一直備受關注，很大程度上左右了2017年旗艦手機的發展。今天高通官方在推特上表示，CEO莫倫科夫將在CES 2017上對驍龍835進行詳細的闡述，披露驍龍835的更多細節資訊。巧合的是，在權威跑分網站GeekBench的後臺中也出現了疑似驍龍835的跑分數據，率先曝光了驍龍835的技術細節。
▲高通官方發佈推文
CES 2017將於2017年1月5日至8日舉行，高通CEO莫倫科夫定於1月6日早9點(北京時間1月7日淩晨1點)在拉斯維加斯的威尼斯人酒店，展開對驍龍835的主題演講。此次演講無疑會披露驍龍835的眾多技術細節，包括其核心數、架構、主頻、GPU等，並對其內置的X16 LTE數據機、QC4.0、10nm制程等進行重點講解。
▲GeekBench跑分曝光，對比驍龍821、麒麟960
目前，權威跑分網站GeekBench的後臺中也出現了疑似驍龍835的跑分數據，率先曝光了一些參數，包括8核心架構，主頻1.9GHz，依舊是Kryo核心(ARM implementer 81是Kryo核心的內部代號)。跑分上，驍龍835可能讓人有點失望，單核跑分1844，多核跑分5426，其中單核基本和驍龍821、麒麟960保持同一水準，而多核方面儘管領先驍龍821，但仍明顯落後于麒麟960，當然，這不排除是工程系的緣故，後續還有優化的空間。
其他細節方面，綜合目前的資訊，驍龍835由三星的10nm工藝打造，支援LPDDR4X記憶體和UFS 2.1快閃記憶體，搭載的X16 LTE數據機可以實現最高1Gbps的下行速率，另外內置全新的Adreno GPU、ISP和Hexagon DSP，將在VR、AR、成像等領域有更加高效穩定的發揮。
最後，近期關於10nm工藝良率的質疑不斷，關於驍龍835最大的疑問在於其商用時間，這也將是此次演講關注的重點。
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