隨著固態硬碟等存儲產品對於快閃記憶體顆粒的需求不斷加大，國產化的力度也不斷在加大，特別是“國家隊”的介入，讓國產化存儲晶片快速問世成為了可能。
近日，國內存儲大廠紫光攜南京市政府舉行動土典禮，宣告紫光南京半導體基地正式開工。
紫光南京新廠與台積電南京廠同坐落于南京江北新區浦口區，紫光南京新廠占地面積約 1,500 畝，主要生產 3D NAND Flash、DRAM 記憶體。總投資金額高達 300 億美元的建設專案，一期投資約 100 億美元、月產能 10 萬片晶圓。去年底中國臺灣地區 IC 設計晶圓測試廠欣銓，敲定在南京間接投資新廠，同樣將落戶於此。
包含紫光集團董事長趙偉國、 江蘇省委書記及省人大常委會主任李強、省委副書記暨南京市委書記吳政隆、南京市長穆瑞林等人都出席動土儀式。
紫光集團還指出，將另外投資 300 億人民幣（約 44 億美元）建設配套的 IC 國際城，包含科技園、設計封裝產業基地、國際學校、國際人才公寓等相關配套設施。
據先前趙偉國透露的資訊，除了旗下長江存儲國家存儲基地 240 億美元投資案，未來一年將在中國成都、南京各建一座晶圓廠，三項投資案加起來將超過 700 億美元。
