【IT168 資訊】對於現在智慧手機來說，存儲的進化可以說是非常迅速的，現在旗艦產品的機身記憶體已經可以達到6GB的容量。近日SK海力士近日悄然完成了新一代8GB LPDDR4記憶體，單晶片封裝，適合用於智能手機、平板機。在兩個月之前，三星也宣佈推出了8GB LPDDR4的記憶體，看來在6GB記憶體成為高端旗艦機標配之後，明年升級成為8GB也將成為必然的趨勢。
海力士8GB(64Gb) LPDDR4記憶體整合了四顆2GB(16Gb) DRAM IC，額定資料傳輸率3733MT/s(也就是頻率3733MHz)，頻寬達29.8GB/s。該晶片採用21nm工藝製造，15×15毫米366/376-ball FBGA小型封裝，相容主流移動設備，其中前者產品編號H9HKNNNFBUMUBR-NMH，可與SoC處理器、UFS NAND快閃記憶體堆疊封裝，電壓1.8/1.1V，現在已經開始出貨。後者主要是電壓增加了0.6V超低檔，更加節能，明年第一季度發貨，產品編號H9HKNNNFBMMUDR-NMH。
與剛發佈的海力士相比，更早之前三星推出的8GB LPDDR4使用的是更先進的10nm級別工藝，頻率也高達4266MHz。在讀取速度以及工藝上都要更優於SK的產品。
本文版權歸原作者和IT168所有，未經許可不得轉載。