近日，在美國召開的 ISSCC 半導體峰會上，索尼展示了一項為智慧手機開發的全新黑科技，即全球第一款內置 DRAM 存儲晶片的智慧手機 CMOS 堆疊式感測器。
索尼宣稱，這是第一枚內置 DRAM 採用三層堆疊結構的手機 CMOS 感測器，通過內置 DRAM 有助於提供超高速的信號處理能力，帶來了一系列此前可在專業級攝像機上實現的功能，使手機能夠以 1000fps 的高畫面播放速率拍攝 Full HD 超慢動作視頻，並且在實現防畸變快門的同時還能夠實現更低的功耗。
索尼這枚為手機設計的 CMOS 堆疊式感測器有效圖元為 2120 萬圖元，尺寸大小為 1.22μm×1.22μm 。所謂內置 DRAM 的 CMOS，簡單來說，就是在背照式感光層與底部電子線路層之間又添加了一層容量為 125MB 大小的 DRAM，便於資料直接高速寫入，在僅 1/120 秒中能夠實現 1930 萬圖元圖像的高速讀取，速度相比傳統感測器快了四倍。
因此，在索尼新手機 CMOS 堆疊式感測器的説明下，未來用戶使用手機拍攝 1000fps 的高畫面播放速率的 Full HD (1080p)超慢動作視頻，以及 4k @ 60 fps 或 Full HD (1080p) @ 240 fps 的視頻，將變得輕輕鬆松，無比簡單。
當然了，對於索尼來說，內置 DRAM 的 CMOS 堆疊式感測器並不陌生，兩年前自家聞名於世的黑卡相機 RX100 IV 和 RX10 II 都已採用類似的感測器。但是 1 英寸的感測器顯然無法塞進手機，要實現這一點必然包含了多個固有的技術難題，例如如何降低三層電路之間所產生的噪點問題，畢竟索尼通過自身技術優勢對此進行了很好的解決。
索尼表示，新的 CMOS 堆疊式感測器可減少捕捉圖像過程中的畸變情況，“通過缺少機械快門和曝光時間控制的手機拍攝快速移動物件時，新 CMOS 堆疊式感測器能夠最大限度地減少靜止圖像焦平面的失真現象。”為了實現高速讀取，索尼將雙電路從 2 層結構變為 4 層，使得類比信號轉換為數位信號，大幅改善軟體處理效果。
比較遺憾的是，索尼沒有透露這枚內置 DRAM 的手機 CMOS 堆疊式感測器何時正式量產，更不清楚有哪些廠商目前對此感興趣，只是簡單的表示雖然感測器的結構複雜，但已經具備生產能力，而且品質優良穩定性高。如果不出意外的話，索尼自家的 Xperia 智慧手機將優先搭載。