Qualcomm（高通）發佈了下一代snapdragon處理器驍龍835，它應該是之前曝光驍龍830處理器的真身。高通方面並沒有提供新一代處理器的具體資訊，只是聲稱新一代驍龍處理器的核心面積效率將提升30%以上，擁有約27%性能提升的同時還能節能40%左右。由於提升資料和三星新版節能工藝10nm LPE相符，基本可以確定驍龍835使用的正是三星的10nm LPE工藝。
Quick Charge 4能在大約15分鐘或更短時間內，充入高達50%的電池電量，從而滿足了這樣的需求。這樣你就不再會一整天被充電電線所束縛。
與新版驍龍835一同推出的還有QuickCharge 4.0快充技術，其充電速度快了20%、效率提升30%，充電功率提升至28W，充電溫度還回應降低了5℃。推測使用QC 4.0來進行手機電量0-50%的充電只需十多分鐘，充電5分鐘續航時間可達五小時。
高通目前旗艦級別處理器驍龍820/821使用的是三星14nm LPP工藝，選擇繼續合作並在目前這個時間段來紙面發佈相信對雙方都有一定幫助，而對應的手機產品可能要到2017年才會上市。另外相信很多使用者對於那些提升資料並不感冒，驍龍835所包含的QC 4.0快充技術才是真正亮點：QC 4.0相容USB Type-C和USB-PD充電規範、支援雙充電IC，這就是說它擁有一統混亂的各家快充方案的可能性，這對於用戶體驗的提升是實實在在的。