重磅消息，今日Qualcomm Incorporated正式宣佈，其子公司Qualcomm Technologies, Inc.（QTI）和三星電子有限公司延續雙方十年之久的戰略性晶圓代工合作，將採用三星10納米FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級處理器——Qualcomm驍龍835處理器。
也就是說，高通將在下一代頂級處理器中採用三星先進制程，與台積電進行抗衡。同時Qualcomm Technologies. Inc.產品管理高級副總裁Keith Kressin還表示：“全新10納米制程節點的採用，預計將使驍龍835處理器帶來更低的功耗與更高的性能，同時也讓我們能夠增加諸多全新功能，從而提升未來的移動終端使用者體驗。”
今年10月，三星宣佈率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的晶片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過採用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的晶片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發佈的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合，預計將會顯著提升電池續航。
目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835的商用終端將於2017年上半年出貨。驍龍820/21處理器已經擁有超過200款設計發佈或正在開發中，驍龍835正是其後續產品。