就在國產智慧手機陸續搭載驍龍821處理器之際，高通已經公佈下一代高通驍龍旗艦處理器——高通驍龍835，這次高通也直接跳過高通驍龍830的命名。
高通驍龍835處理器基於全新的三星10nm FinFET工藝打造，相比之下，今年的高通驍龍820/821旗艦處理器均基於三星的14nm晶片工藝打造，據悉，新的制程工藝可以提升27%性能和降低40%功耗，與此同時，晶片體積能夠縮小30%以上，這意味著手機廠商可以打造更加輕薄的機身。
除此之外，驍龍835還支援最新Quick Charge 4.0快速充電技術，將會比上一代3.0快充快20%。據悉，首批搭載該處理器的設備預計將會在2017年上半年上市，由於三星一貫採取不同地區不同處理器的策略（自家的獵戶座處理器和高通旗艦處理器），再加上這次高通與三星聯合展示下一代驍龍835處理器，三星下一代旗艦機Gaxaly S8有望首發驍龍835處理器。三星Note7的退市給三星帶來了巨大的損失，三星Gaxaly S8自然被寄予厚望，因此如果能首發驍龍835處理器也能釋放出一定的積極意義。
另一方面，高通驍龍835處理器的到來也開啟了10nm時代。此前有媒體報導，聯發科下一代旗艦處理器Helio X30也是採用10nm工藝的移動處理器，這也是聯發科再次衝擊高端市場的嘗試，現在就看雙方誰能在消費者市場最先商用10nm處理器。
科客點評：高通這是不按套路出牌，直接就跳過驍龍830，想想三星從Note5直接跳到Note7後的遭遇……