還記得2015年高通的旗艦驍龍810處理器成為了很多手機廠商和用戶的“噩夢”，因為它太“熱”了，因過熱而頻繁引發的降頻，已經嚴重影響了用戶的使用體驗。也就是從這顆處理器開始，所有人都開始認識到工藝的重要性。
因為2015年手機處理器剛好處於全面升級過渡時期，高通“偷了個懶”，讓驍龍810採用了公版四核Cortex-A57+四核Cortex-A53，並採用台積電的20nm HPM工藝進行生產。所以問題就出現在這裡，這個檔次的工藝並不足以緩解高主頻四核Cortex-A57的發熱量，於是就造成了當時很多採用這款處理器的安卓手機讓人詬病的卡慢問題。
後來，在經歷驍龍810的失敗之後，為了挽回面子，高通決定從2個角度對新的旗艦驍龍820進行優化：
1、不再套用ARM的公版設計，基於ARM指令集進行自主架構的研發。
2、和三星合作，採用最新的14nm FinFET（LPP）工藝進行驍龍820的生產。
經過改進之後，最終推出了現有的Kryo架構，新工藝+自主架構的組合，讓驍龍820在2016年以區區四核之身位居頂級手機處理器行列，特別是GPU性能成為當時Android手機處理器領域最強。
2017年，隨著Cprtex-A73架構和新一代GPU的出現，哪怕是14nm工藝也禁不起它們的發熱量折騰，所以新的旗艦級處理器都需要引入更新的10nm工藝，從而解決發熱與性能和功耗之間的平衡。
此時，驍龍835就與三星10nm FinFET工藝搭配，採用高通自主架構Kyro 200，並改用四大四小的八核設計，同時將GPU升級到了Adreno 540。
（題外話）看到這裡，可能大家會有一個疑問：不是說英特爾一直領跑半導體工藝嗎，為何這次卻被台積電和三星超越了？
這個答案就有點尷尬了，其實包括台積電、三星、格羅方德等晶圓廠對自身工藝數位都進行了不同程度的“美化”。具體點說就是台積電16nm大約等於英特爾的20nm，10nm約等於英特爾的12nm，還有尚未量產的7nm與英特爾10nm工藝屬於同一個技術時代。
最後，考慮到英特爾10nm工藝將於2017年量產，所以它在制程領域的優勢仍將繼續。但是它在手機處理器方面並未有太多動作，所以在2017年各大手機旗艦新品還是將期望寄託在驍龍835身上了，讓我們拭目以待。