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Intel 10nm性能將提升43%

日前,Intel再次強調10nm晶片定於今年底上市,其核心指標包括“1平方毫米中塞下1億個電晶體、鰭片間距做到34nm,最小金屬間距則做到36nm”。

關於10nm的家族代號目前存在爭議,因為Intel今年2月又宣佈了8代酷睿,所以Cannon Lake有些人說是10nm代號,有些說是新酷睿代號,不過筆者比較傾向AnandTech的看法,也就是前者。

按照Intel公佈的指標,8代酷睿依然是14nm,號稱歷史最強,性能較Kaby Lake提升15%,那麼10nm呢?

在Intel TechDay上公佈的PPT顯示,第一代10nm將比14nm在性能上提升25%,功耗降低45%,改良版的10nm++性能會再次提升15%,功耗再降30%,換算下來,目前Intel規劃中的10nm最好的狀態是比14nm性能提升43%左右。

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