在三月中旬的時候，三星曾官方表示，自家晶片制程線路圖中已經添加了 8 納米和 6 納米工藝制程，同時 10 納米 FinFET 工藝良品率穩定，正穩步增產，能夠滿足所有客戶的需求，並且表示今年年底就能夠量產第二代 10 納米 LPP 工藝了。
4 月 20 日，三星再一次通過官方公告證實了上述消息，聲稱，目前第二代 10 納米已經通過品質驗證工作了，很快就將在今年第四季度實現量產。
三星的第一代 10 納米工藝採用的是 LPE 技術，從去年 10 月份就已經開始大規模生產了，主要代表晶片為高通 Snapdragon 835 和三星 Exynos 8895。第二代 10 納米工藝則採用 LPP 技術，按照三星的說法，第二代 10 納米 LPP 晶片得益于更先進的增強型 3D 結構，將有望實現比第一代更高的性能指標。
三星表示，得益於新的技術，全新的 10 納米 LPP 晶片將比當前的 10 納米 LPE 晶片性能提升 10%，並且功耗降低 15%。三星沒有具體指出晶片型號，不過至少表明自家的 Exynos 8895 如果用全新的 10 納米 LPP 工藝可以達到上述提升幅度，而在保證當前功耗的情況下，主頻可以升至更高，讓性能超過 10% 的提升幅度。
另外，三星的官方聲明表明，目前應該已經收到了客戶對第二代 10 納米晶片的訂單，儘管沒透露客戶名單，但或許應該會包括高通的 Snapdragon 835 以及後續下半年發佈的晶片。考慮到目前晶片制程工藝大戰已經從 PC 行業轉移到了移動設備領域，三星能夠更快實現先進工藝的量產，將意味著擁有更多的客戶。
上個月三星還宣稱，自家的第三代 10 納米 LPU 工藝明年就能夠順利進入量產。不出意外的話，去年首次宣佈開放晶片代工業務的英特爾，應該在下半年透露更多 10 納米手機晶片代工業務的資訊，屆時新一輪 10 納米大戰將正式拉開帷幕。