2016年10月三星宣佈正式量產10nm工藝處理器，首先享用到第一代10nm LPE工藝的是自家Exynos 8895 SoC和高通驍龍835 SoC，與此時同時的Intel和台積電還在玩14、16nm。今年三月，外媒ETnews報導三星對於10nm工藝一次性擴建投資甚至達到150億人民幣，意味著三星在半導體工藝上有新的大動作。今天三星正式宣佈已經完成了第二代10nm LPP工藝的品質驗證工作，即將進入量產階段。
早前Intel曾經炮轟過其它的廠商在半導體工藝上以命名取勝，實際情況是TSMC 20nm、16nm及三星14nm工藝的柵極距、鰭片間距、金屬柵距及邏輯晶片高度等等指標，都全面落後於Intel，尤其是在電晶體密度上是其他家工藝的1.3倍。
三星的10nm工藝應該能很大程度上彌補了之前的不足，根據之前的說法是第一代10nm LPE（Low Power Early）與14nm制程相比，10nm制程製造的晶片性能提升27%，同時功耗降低達40%，並且10nm制程允許每個晶圓多製造30%的晶片。而第二代10nm LPP（Low Power Plus）工藝的量產難題已經被攻克，三星已經開始在韓國漢城的S3生產線上部署相關設備，量產在即。
不過LPE和LPP之間並不是取代關係，因為LPE用的就是低功耗技術，製造出來的晶片更適合用於移動端，而LPP追求的是高性能，更加適合用於對功耗不敏感的設備上，此外第三代10nm LPU制程的研發工作早已提上日程，而LPU更加合適用於高性能、密集型計算應用上。