關注手機業界的同學都知道，這一段時間驍龍835的各種消息反復刷屏，而高通官方終於在昨天召開了正式的新品發佈會，我們終於能夠瞭解到這顆晶片的全貌，它將佔據將來一年的主流安卓旗艦位置，今天我們就一起來瞭解下它相比上代820，到底有哪些提升。
【制程與性能】
驍龍835是第一顆採用10nm工藝制程的移動處理器，同時也回歸了類似810時期的Big.Little大小核結構，由4顆1.9ghz的節能核心與4顆2.45ghz的性能大核組成，規格非常強勁。雖然採用了高通的自主設計Kyro 280架構，但實際表現和A73的同頻性能比較接近。
雙拳架不住四手，憑藉火力全開的八顆核心，驍龍835的安兔兔跑分超過了18萬，與iPhone7的A10 Fusion不相上下，理論性能相比820提升了30%-40%左右，但實際表現如何，還取決與廠商的散熱設計和調度機制，將來雪染也會第一時間購買搭載該晶片的旗艦機型為大家詳細測試的。
【網路通訊】
不搭載通訊基帶的晶片，會給廠商的研發工作帶來額外的麻煩，這也就是普遍沒人願意採用Exynos系列處理器的原因之一；而強勁的內置通訊基帶，也正是高通晶片的當家法寶，它可能不是性能最出色的移動處理器，但是內置的通訊基帶能讓廠商省去很多麻煩，所以也就樂於採用。
驍龍835搭載的X16基帶模組，是世界首款支持CAT16序列千兆頻寬的基帶晶片，雖然說5G頻段是大勢所趨，但標準尚未塵埃落定之時，廠商們仍然會選擇在千兆LTE上深耕發力；同時，X16還能夠支持4+4的MIMO天線設計，相比與傳統的2+2結構，資料輸送量大幅提升。
在Wifi性能上，驍龍821高配版支持的2x2 11ac MU-MIMO規格如今成為了835的標配，同樣也能讓我們擁有千M頻寬級別的Wifi體驗，下載速度破百M也不再是夢想；在集成基帶的性能參數上，驍龍835可謂是一騎絕塵秒殺所有。
與高電壓低電流的QC3.0不同，驍龍835搭載的QC4.0快速充電採用了與OPPO的VOOC閃充非常類似的低電壓大電流充電技術，能夠在控制發熱的同時，保證充電效率，高通也喊出了充電五分鐘通話五小時的口號，可謂與OPPO殊途同歸。現在主流的USB電纜大多只能承受2A的電流強度，如果說將來主流旗艦都採用QC4新推出的充電規格，那麼我們就需要更換手邊的充電資料線了。
【會有哪些新機？】
雖然索尼的Xperia XZP是名義上首發了驍龍835處理器，但實際上我們能最早見到的還是Galaxy S8和小米手機6；其中Galaxy8正面採用無實體按鍵設計，指紋解鎖挪到了背後，而小米6則很可能會沿用小米5上的玻璃陶瓷機身，新加入卡爾蔡司認證的雙攝像頭模組。詳細的情報，還是關注一大波即將到來的新品發佈會吧。
