一直以來，晶片工藝都是兵家必爭之地，無論是英特爾、三星還是台積電，而目前，三星在首爾宣佈，正式開始10nm FinFET工藝SoC晶片的量產工作，進度業界第一，也就是領先台積電和Intel。
據悉，三星目前的10nm工藝是10LPE（low-power early），也就是早期低功耗版，這一點和14nm時代的進程一致，後續還會有10nm LPP（low power plus, advanced power processing），預計明年下半年量產，可用於更高性能的晶片。
三星宣稱，在2017年初將會正式發佈首款消費級別10nm晶片，相較14nm，10nm電晶體面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。看來這次三星走在前面了。