非易失性記憶體喊了很久，但似乎算的上成果並商業化的也就Intel的傲騰，不過，完全做記憶體也有一些壓力。
據外媒報導，三星計畫在5月24日的晶圓廠論壇活動中公佈全新的magnetoresistive RAM (MRAM，磁阻式隨機記憶體)。
去年7月，三星聯合IBM展示了用於伺服器、資料中心的MRAM，速度比快閃記憶體快10萬倍，而且不丟失資料。
經過數月的研發，三星加入了自旋轉矩技術（STT），可以加大降低功耗，從而應用到移動設備上來，也就是手機實現記憶體、快閃記憶體二合一。
這對於內部空間寸土寸金，以便部署大電池或者做輕做薄的手機來說，新的整合技術無疑是福音。
不過，資料顯示，磁阻式隨機記憶體早在十幾年前就就有半導體公司研發，比如飛思卡爾，但進展並不快，技術難度依然很高。
