近日下一代存儲技術標準紛紛出爐，首先是SK海力士和三星將會共同開發全新一代HBM3顯存，重點在傳輸頻寬上進行提高。目前HBM2顯存每一個通道最高能夠達到256GB/s的頻寬，HBM3顯存則將這個數值提高到512GB/s。由於HBM3採用四通道設計，所以合計最多擁有2TB/s顯存頻寬。HBM2最高能夠實現48GB容量，HBM3進一步提高到64GB，當然性能更強同時功耗也會更低。
HBM2貌似也只在GP100架構發佈時候吸引了一定眼球，過後並沒有大量用於顯卡行業。相比小眾的HBM顯存，鎂光在近日也公佈了GDDR6顯存規格。GTX1080上面顯存標準依然是主流的GDDR，而並不是HBM。其搭載的GDDR標準正正就是鎂光的GDDR5X，屬於服役已久GDDR5和下一代標準GDDR6之間過渡產物。GTX1080上GDDR5X最高頻率達到10Gbps。而下一代GDDR6顯存標準將會提高到14-16Gbps。
顯存有著落那麼記憶體呢？今天，鎂光正式公佈了DDR4繼任者——DDR5記憶體的詳細規格。訊息源來自鎂光公佈的檔，DDR5記憶體容量暫定為8-32GB，I/O頻寬在3.2Gbps和6.4Gbps之間，電壓為1.1V，記憶體頻寬是DDR4記憶體的兩倍。作為對比，我們看看12年DDR4標準規範剛剛公佈出來時候的相關數值。DDR4記憶體容量標準為4-8GB，I/O頻寬在1.6Gbps和3.2Gbps之間，可見DDR5相關參數在穩步提升。標準電壓為1.2V，前三代標準分別是2.5V、1.8V和1.5V，電壓數值這兩代的變化並不是太大。
記憶體頻寬方面，DDR4起跳頻率為1600MHz，規範標準中提到最高能夠達到4266MHz，芝奇在15年8月份已經發佈了類似的記憶體條。雙通道頻寬可達68GB/s，上文鎂光提到DDR5記憶體頻寬將會是DDR4的兩倍，換句話說很有可能達到136GB/s。那麼起跳頻率和最高頻率估計也會進一步提高。
最後，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5記憶體樣品，並將在2019年正式量產。