二十世紀七十年代提供給超大型積體電路的動態隨機記憶體製造工藝所需的環境為10級，並提出了局部地區100級的大面積單層。 100級、1000級潔淨度級別對於積體電路的技術已足夠八十年代中一些先進的做法，是把加工設備的操作面放在潔淨區內，把非操作面放在潔淨度低的所謂“灰區”內，即用走廊將工藝區和輔助區劃分開來，嚴格劃分潔淨區。這就導致了“隧道”概念的產生潔淨區也稱為“加工隧道” 而灰區稱為“維護隧道” 為了達到所需的生產環境，矽片處理都是在高潔淨度級別的工藝隧道中進行。
這樣可以大大減少昂貴的高級別潔淨區域的面積和降低費用，同時也減少了在潔淨區內的人員維護和修理的活動。在一般亞微米IC生產中“加工隧道”的潔淨度可高達10級及其以上，還有比較先進的方法是將加工設備放在一隔間內，它有可以靈活打開和緊密關閉的門與潔淨區和灰區相通當設備進行維時，關閉與潔淨區相通的門而打開與灰區，相通的門人們可以進入隔間進行維護操作，緊閉與灰區相通的門後再打開與潔淨區 相通的門，人們又可以進入隔間進行加工操作。實際上，隔間是當晶片加工時起潔淨區的作用，停機修理時又起灰區的作用，這樣使 潔淨室的佈置更趨合理。 微電子工業已經成為衡量一個國家技術水準高低和經濟發展快慢的重要標，而超大型積體電路的發展是伴隨著一系列關鍵技術而發展的。其中之一就是潔淨室技術。超大型積體電路每隔2年其關鍵技術都有一次飛躍。積體電路將不斷隨集成度的加大而縮小，同時增加掩膜的層數和容量。動態隨機記憶體DRAM的特徵尺寸已達到0.09 m,隨之對潔淨室設計中控制粒子的粒徑也將日益縮小。積體電路晶片的成品率與晶片的缺陷密度有關。晶片缺陷密度與空氣中粒子個數息息相關。