矽光子架構主要由矽基雷射器、矽基光電集成晶片、主動光學元件和光纖封裝完成，使用該技術的晶片中，電流從計算核心流出，到轉換模組通過光電效應轉換為光信號發射到電路板上鋪設的超細光纖，到另一塊晶片後再轉換為電信號。
矽光子（SiP）實現廉價且規模生產的光連接，從根本上改變光器件和模組行業。未來三五年內，這種情況還不會發生，但矽光子技術可能在下個十年證明它是破壞性。基於矽光子的光連接與電子ASIC、光開關，或者（可能）新的量子計算設備的集成，將打開一個廣闊的創新前沿。
關於在矽晶圓上實現光傳輸的“矽光子”技術，其實商用化和研發的推進速度都超過了預期。其中，日本的進展尤其顯著。日本在高密度集成技術和調製器等的小型化方面世界領先，在CMOS相容發光技術和光子結晶的開發方面的成果也震撼全球。矽光子技術的應用範圍有望從目前的主要用途——電路板間的資料傳輸擴大到晶片間和晶片內的傳輸。
矽光子技術目前的主要用途是嵌在有源光纜中的光收發器IC
預計到2022年，矽光子光收發器市場將超20億美元，在全球光收發器市場中占比超20％。從出貨量來看，到2022年，矽光子光收發器在總光收發器出貨量中的占比將不到2．5％。這些產品中的大多數將是高端產品－－100G或以上速率，因此定價也相對較高。
這似乎與許多業內專家的期望相悖，即希望矽光子能實現廉價且規模生產的光連接，並且取代現有的InP和GaAs平臺。然而，如果矽光子的主要優勢是集成，它將會是最適合需要大量集成的複雜高端設備的技術。未來十年或二十年，分立、2X和4X整合式產品（將2個或4個光功能組合到單個發射器或接收器上面）將持續依賴InP和GaAs技術。事實上美國在InP等光集成領域同樣取得了領先世界的成就，由於矽並不能直接產生鐳射，相比InP材料存在一定弱勢，其商用步伐也落在InP材料器件之後。光集成一定是光通信器件的發展方向，很難說未來三五年各種光集成技術將取得怎樣的突破，所以矽光子能在多大程度上成功替代還有待觀察。
但是在支持者眼中，矽光子幾乎是光通信走向集成的唯一選擇。一方面是因為在矽光子領域已經走得很遠，尤其是美國，英特爾在IDF上推出的100G矽光子收發器令業界震撼，此次100G矽光子收發器被譽為矽光子史上的革命突破。
另一方面，許多矽光子學可以利用的新應用，包括高性能的電腦、電信、感測器、生命科學以及量子運算等高階應用。此外，還有兩項新興應用對於矽光子而言也特別令人感興趣——瞄準自動駕駛車應用的雷達（Lidar），以及生物化學與化學感測器，均可從整合的光學功能以及進一步的微型化中受益。而且矽光子晶片將會遠遠超越銅佈線的能力，而其解決方案可望部署於高速的訊號傳輸系統中。
預計在2025年及其後，這項技術將更廣泛地用於處理互連多核心與處理器晶片等應用中。以晶片級而言，這一市場預計將在2025年時達到15億美元。
矽光子技術已經持續多年的發展了，各種技術備受大型網路公司看好，並且已經開始積極推動。