污染是或許將新式的晶片出產工業糟蹋於搖籃中的首要疑問之一。半導體工業起步於由航空工業打開而來的潔淨室技術。現在，大規模的雜亂的潔淨室輔佐工業現已構成，潔淨室技術也與晶片的方案及線寬技術同步打開。經過不斷地處理在各個晶片技術時代所存在的污染疑問，這一工業自身也得到了打開。早年的一些小疑問，有或許變成當今晶片出產中足以喪身的缺點。
半導體器材很簡單遭到多種污染物的危害。這些污染物可歸納為以下四類，分別是： 1. 微粒 2. 金屬離子 3. 化學物質 4. 細菌 微粒。半導體器材，尤其是高密度的積體電路，易遭到各種污染的危害。器材關於污染的活絡度取決於較小的特徵圖形的規範和晶片外表堆積層的薄度。現在的測量規範現已降到亞微米級。一微米（µm）是十分小的。一公分等於10，000微米。人的頭髮的直徑為100微米。微粒。有些歸於喪身性的，而其它一些位於器材不太活絡的區域則不會構成器材缺點。
金屬離子。半導體器材在悉數晶片上N型和P型的摻雜區域以及在準確的N/P 相鄰區域，都需求具有可控的電阻率。經過在晶體和晶片上有目的地摻雜特定的摻雜離子來完結對這三個性質的操控。十分少量的摻雜物即可完結我們希望的作用。但迷惘的是，在晶片中呈現的極少量的具有電性的污染物也會改動器材的典型特徵，改動它的作業體現和可靠性參數。 鈉是在未經處理的化學品中最多見的可移動離子污染物，一起也是矽中移動性最強的物質。因而，對鈉的操控變成矽片出產的首要政策。MIC的疑問在MOS器材中體現最為嚴重，這一實際推動一些化學品出產商研製開發MOS級或低鈉級的化學品。這些標識都意味著較低的可移動污染物的等級。 化學品。在半導體技術範疇第三大首要的污染物是不需求的化學物質。技術進程中所用的化學品和水或許會遭到對晶片技術發生影響的痕量物質的污染。它們將致使晶片外表遭到不需求的刻蝕，在器材上生成無法除掉的化合物，或許致使不均勻的技術進程。氯便是這麼一種污染物，它在技術進程中用到的化學品中的含量遭到嚴重的操控。 細菌。細菌是第四類的首要污染物。細菌是在水的體系中或不定期清潔的外表生成的有機物。細菌一旦在器材上構成，會變成顆粒狀污染物或給器材外表引進不希望見到的金屬離子。