面對多重任務和大量資料的處理，記憶體的表現顯得尤為關鍵。在選擇和比較RAM條時，經常會面臨一個經典問題：哪一項是衡量真實性能的更好指標——速度還是延遲？如果您正在尋找盡可能最好的記憶體，那麼這是一個需要提前想清楚的重要問題。速度是很容易理解和測量的，而延遲則複雜得多，還經常會被誤解。下面，我們就要把這個誤解（業界稱為延遲悖論）解釋清楚。同時，影響記憶體性能的關鍵問題也會得出最終的答案。
關於延遲的誤解:
大部分人認為：
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CAS 延遲是實際延遲性能的準確指標
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隨著速度提升，CAS 延遲也增大，實際上使得一些速度提升無效
關於延遲的真實情況
相反，半導體工程師認為：
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CAS 延遲不是性能的準確指標
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真實延遲最好按納秒來測量
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隨著速度提升，真實延遲降低或保持大致相同，意味著以更快的速度實現更好的性能
延遲經常被誤解，因為在產品宣傳頁和規格對比中，延遲以CAS延遲(CL)來表示，而這僅是計算延遲的公式結果的一半。
真實延遲 (ns) = 時鐘週期時間 (ns) x 時鐘週期數 (CL)
由於CL額定值僅表示一個模組必須完成的時鐘週期數，它們並沒有說明每個時鐘週期的時長，這意味著它們不是延遲性能的準確指標。
真實延遲是一個更好的性能指標，因為它兼顧到時鐘週期數和每個時鐘週期的時長。使用真實延遲公式，您可計算實際的延遲性能並準確地對比各個模組以瞭解哪一個最適合。下面是對記憶體性能的快速對比，顯示了歷史上的速度/延遲關係。
為什麼速度比延遲更重要
隨著記憶體技術不斷發展，速度提升且時鐘週期時間縮短，即意味著隨著技術成熟，雖然有著更多的時鐘週期需要完成，但是真實延遲卻縮短了。也就是說，如果速度提升而真實延遲保持大致相同，就能夠使用更新、更快和更節能的記憶體來實現更高水準的性能。
請注意，這裡所說的“真實延遲保持大致相同”指的是從 DDR3-1333 至 DDR4-2666（現代記憶體的跨度範圍），真實延遲開始和結束時均為 13.5ns。雖然在此範圍內有幾種情況下真實延遲增大了，但增加的數值僅零點幾納秒。在這個相同的跨度範圍內，速度提高了超過 1,300 MT/s，獲得顯著的性能提升。
將所有這些因素結合起來即可回答這個經典問題，速度更重要。優化 RAM 性能的最佳方式是安裝盡可能多的記憶體、使用最新記憶體技術並選擇其速度最適合您所需應用的模組。■
本文編輯：宋陽
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