三星今天在韓國宣佈，開始大規模量產64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND快閃記憶體晶片，是為第四代3D快閃記憶體。
其實在今年1月，三星已經向關鍵的大客戶出貨採用64層 V-NAND介質的SSD產品，如今半年過去，產能擴充，消費級用戶可以順利用上了。
新的快閃記憶體晶片將用於生產手機UFS存儲、PC/伺服器固態盤、外置存儲卡等產品。
三星強調，新一代64層V-NAND的頻寬速率高達1Gbps，是目前業界最快，是上一代48層3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，電壓從3.3V降低到2.8V，說明工藝改良了不少，漏電極大減少，從而使效能提升30%。
競爭對手方面，東芝的64層也已經少量出貨，SK海力士計畫在今年底量產更激進的72層產品。不過，三星強調，作為一哥和3D NAND的始創者，它們有信心繼續保持領先，並在年底前將64層快閃記憶體的產能覆蓋到月度總量的50%以上。
可以預見，以TB為單位的固態盤、以及128GB以上的UFS3.0手機快閃記憶體或將迅速普及開來。