2年前Intel、美光發佈的3D XPpoint快閃記憶體打破了存儲市場的平靜，憑藉1000倍的性能、可靠性以及10倍的存儲密度提升被稱為黑科技快閃記憶體。只是3D XPpoint快閃記憶體在上市進度上不盡如人意，Intel基於3D XPpint快閃記憶體推出的消費級及企業級Optane硬碟雖然不乏亮點，但與當初的宣傳相比實在有點不夠看。Intel要用3D XPpoint快閃記憶體革了NAND快閃記憶體的命，市場一哥三星自然也不能坐視不管，他們也有自己的殺手鐧——Z-SSD系列，它將使用全新的Z-NAND快閃記憶體，硬碟容量可達4TB。
三星的Z-SSD系列硬碟將使用新型的Z-NAND快閃記憶體
實際上Intel的3D XPpoint公佈沒多久，
三星就在去年的FMS快閃記憶體會議上公開過Z-SSD系列硬碟
，號稱性能超越了現有NAND快閃記憶體極限，不過三星沒有給出具體指標，只說其性能比PM963更強，延遲低了4倍，讀取速度是後者的1.6倍。
當時宣傳資料說Z-SSD系列會使用第四代V-NAND，也就是64層堆疊的V-NAND快閃記憶體，不過這種快閃記憶體跟普通NAND快閃記憶體也有不同，三星用了Z-NAND的新名字命名，它的特性介於DRAM記憶體和NAND快閃記憶體之間，也就是說性能比NAND快閃記憶體更強，但比DRAM又有非易失性的特點，聽上去就跟Intel的3D XPoint快閃記憶體很相似。
三星去年公佈的Z-SSD並沒有具體實物，
Anandtech網站
報導稱在Cloud Expo歐洲展上，三星展示了一款Z-SSD硬碟，如上圖所示。這款硬碟使用的是PCI-E 3.0 x4介面，容量800GB，連續讀寫速度可達3.2GB/s，隨機讀寫可達75萬、16萬IOPS，延遲（原文推測具體是指讀取延遲）比NVMe硬碟低了70%，這可能是得益於新的Z-NAND快閃記憶體，也可能是因為新的主控。
三星Z-SSD硬碟性能比NAND快閃記憶體硬碟好得多
他們從三星處得知Z-SSD硬碟具備比普通NAND硬碟高得多的耐用性，特別是每cell單元存儲更少的資料時——這裡大概是說Z-SSD正常可能也是TLC（3bit per cell）類型的，但也可以使用MLC類型（2bit per cell），這時候的使用壽命會更高。
至於這個全新的Z-NAND快閃記憶體，三星還是沒有公佈具體細節，但綜合此前的消息來看，Z-NAND快閃記憶體應該是在V-NAND快閃記憶體上進行結構改進的產物，官方表示它有獨特的電路設計，配套的主控也是改進過的，所以性能比普通NAND快閃記憶體好得多，延遲低得多。
三星到Z-NAND快閃記憶體顯然有跟Intel 3D XPoint快閃記憶體叫板的資格，至於Z-NAND快閃記憶體是不是也跟後者一樣是全新技術就不好說了，因為Intel迄今也沒有公佈過3D XPoint快閃記憶體原理，之前分析認為的PCM相變快閃記憶體等說法只是猜測。
三星表態Z-SSD系列硬碟容量可達2TB、4TB，只不過目前展示這款容量還是800GB的，不過算上OP空間，它實際上很可能是1TB容量的。作為對比的是，Intel在消費級、企業級提供的Optane硬碟目前分別是16-32GB、375GB，至少在容量上三星的Z-NAND快閃記憶體會勝出。